DARPA (MTO): ELectronics for G-band ARrays (ELGAR)

קרןUS Department of Defense
מדינהU.S.A.
סוגResearch Grants
תאריך אחרון13/12/2021
פקולטהEngineering, Exact Sciences
תיאור

 

The ELGAR program seeks to develop integration technologies needed to create compact, high performance III-V RF electronics to enable communication and sensing systems at G-band frequencies. These integration technologies include dense, silicon-like, on-chip BEOL and lowloss
chip-to-chip interconnects.

Technical Challenge 1: Achieving efficient, compact G-band MMICs with high output power density

Technical Challenge 2: Achieving low-loss off-chip interconnects between adjacent G-band array components

 
 
 
Funding: no fixed limit 
Duration: 4 years 
 
 
Research Authority due date: 24.10.21
Abstract (strongly encouraged) due date: 29.10.21
Full proposal due date: 13.12.21
קבצים מצורפים
קישורלאתר
עדכון אחרוןעדכון אחרון: 11/10/2021
אוניברסיטת תל אביב עושה כל מאמץ לכבד זכויות יוצרים. אם בבעלותך זכויות יוצרים בתכנים שנמצאים פה ו/או השימוש
שנעשה בתכנים אלה לדעתך מפר זכויות, נא לפנות בהקדם לכתובת שכאן >>